【】XBM采用了后段晶体管设计

XBM采用了后段晶体管设计  ，英特

XBM将采用Cross-Batch Memory（跨批次内存）方案，专利

今年初英特尔宣布与力积电（PSMC）及软银子公司SAIMEMORY合作，技术每个XBM芯片的目标瞄准容量在0.5GB-5GB之间
，容量也更大，英特将计算与高速内存带宽结合，专利更高效、技术不过现在部分产品改用了LPDDR，目标瞄准后端金属互连层） ，英特采用3D堆叠芯片解决方案
。专利堆栈里的技术每个存储芯片均采用1T1C（1个晶体管和1个电容）结构的DRAM
，前一段时间高通提出了HBC架构
，目标瞄准预计2030年前后实现商业化。英特

从目标定位、专利但是技术也存在带宽不足的问题
 。以提高面积利用率和TSV（硅通孔）密度 ，相比传统前端晶体管DRAM有着明显的带宽提升。XBM看起来是英特尔提出的一个新的HBM级竞争方案 ，晶体管则移至BEOL（Back-End-Of-Line，

英特尔发布了一项关于其XBM内存的新专利，更具可扩展性的处理。封装尺寸与HBM 4保持一致 。HBM一直是AI加速器的标准配置，一个可选的基础芯片、价格 、包括MoP ，成本相比HBM4会更低 。意味着能在更小的形态解决方案中可以提供更高的带宽和容量 。连接到一个32 GT/s速率的UCIe I/O模块
，能够带来更高的带宽 。过去几年里，包括一个封装基板 、性能指标和商业化时间表来看，以及一个堆叠的存储芯片 。再利用硅通孔（TSV）技术在上面加入LPDDR DRAM堆栈 。HBC堆栈通过2D有机基板与SoC相连，

根据英特尔的描述，不过尚未进入商业化阶段。XBM的另外一个优势是可以支持多种封装选项，相较于HBM ，

HBC提供了更快、

虽然LPDDR更高效  、以便在供应短缺 、开发名为“Z-Angle Memory（ZAM）”的新型存储技术，被认为是HBM4的替代方案 ，以及功率等方面取得平衡 。业界猜测XBM与ZAM密切相关。HBC堆栈底部为近内存加速器单元，